14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFET The BUZ71 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.3 A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 17 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 35 W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Drain-Source On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.6 Ω (max) at V_GS = 10 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2–4 V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 180 pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20 pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10 ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 30 ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50 ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 20 ns (typical)
- **Package**: TO-220AB (through-hole)

The BUZ71 is designed for switching applications in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.

14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFET The BUZ71 is a power MOSFET manufactured by HAR (Harris Semiconductor, now part of Littelfuse). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

These are the factual specifications for the BUZ71 MOSFET from HAR.