SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ111SL is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 150pF  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ111SL.