SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ111S is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns  
- **Package**: TO-220AB  

These are the factual specifications for the BUZ111S MOSFET as provided by SIEMENS.

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ111S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 75W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BUZ111S.