SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ110SL is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2000pF (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BUZ110SL.