N-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ110S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typical)
- **Switching Speed**: Fast
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon datasheet.

N-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ110S is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 32A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 25ns (typical)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ110S MOSFET.