SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-resistance) The BUZ103 is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Below are its specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.07Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ103 MOSFET.