SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ102SL is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typ)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ102SL.

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ102SL is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 40ns (typical)
- **Package**: TO-220 (single-gauge)

These specifications are based on standard test conditions. For detailed performance curves and application-specific data, refer to the official Infineon datasheet.