N-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ101SL is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typical)  
- **Package**: TO-220AB  

These are the factual specifications for the BUZ101SL MOSFET as provided by SIEMENS.

N-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ101SL is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BUZ101SL.