SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated) The BUZ101S is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ101S.