SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ100S is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 32A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.6Ω (typical at V_GS = 10V)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves or application-specific data, refer to the official Infineon datasheet.

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) The BUZ100S is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Here are its specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 32A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typ)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ100S.