Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube The BUX87 is a high-voltage NPN transistor manufactured by Philips (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 450V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 20W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 100mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 20MHz  
- **Package:** TO-220  

These specifications are based on the original datasheet from Philips/NXP.

Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube The BUX87 is a high-voltage NPN power transistor manufactured by STMicroelectronics (STM). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 450V  
2. **Collector Current (I_C)**: 0.5A  
3. **Power Dissipation (P_tot)**: 20W  
4. **DC Current Gain (h_FE)**: 10 to 40 (at I_C = 0.1A, V_CE = 5V)  
5. **Transition Frequency (f_T)**: 4MHz (typical)  
6. **Package**: TO-220  

These specifications are based on STM's datasheet for the BUX87 transistor.

Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube The BUX87 is a high-voltage NPN transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications from the ST datasheet:  

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)** = 450V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)** = 450V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)** = 5V  
- **Collector Current (I_C)** = 0.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)** = 20W  
- **DC Current Gain (h_FE)** = 15 to 60 (at I_C = 0.1A, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T)** = 10MHz  
- **Package** = TO-220  

These are the factual specifications provided in the STMicroelectronics datasheet for the BUX87 transistor.