BUK95150-55AManufacturer: PHILIPS TrenchMOS(tm) transistor Logic level FET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| BUK95150-55A,BUK9515055A | PHILIPS | 6207 | In Stock |
Description and Introduction
TrenchMOS(tm) transistor Logic level FET **Introduction to the BUK95150-55A Power MOSFET from Philips**  
The BUK95150-55A is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Philips (now Nexperia) for demanding switching applications. This robust component is engineered to deliver efficient power management, making it suitable for use in automotive systems, industrial controls, and power supplies.   With a drain-source voltage (VDS) rating of 55V and a continuous drain current (ID) of up to 150A, the BUK95150-55A offers low on-state resistance (RDS(on)), ensuring minimal power loss and improved thermal performance. Its advanced trench technology enhances switching efficiency, making it ideal for high-frequency operations.   The MOSFET features a compact and durable package, designed to withstand harsh operating conditions while maintaining reliability. Its fast switching characteristics and low gate charge contribute to reduced switching losses, optimizing energy efficiency in various applications.   Engineers and designers favor the BUK95150-55A for its balance of power handling, thermal stability, and ruggedness. Whether used in motor drives, DC-DC converters, or battery management systems, this component provides dependable performance in critical power electronics applications.   By integrating the BUK95150-55A into circuit designs, professionals can achieve enhanced efficiency and durability in high-power switching environments. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips