N-channel TrenchMOS logic level FET The BUK9507-30B (manufacturer part number 0536/050) is a power MOSFET transistor. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 3000pF (typ)  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-current switching applications.

N-channel TrenchMOS logic level FET The part **BUK9507-30B** is manufactured by **NXP Semiconductors**.  

Key specifications:  
- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A  
- **R_DS(on) (max)**: 7.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 110W  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications.  

For additional details, refer to the official NXP datasheet.