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BUK9237-55A from NXP,NXP Semiconductors

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BUK9237-55A

Manufacturer: NXP

N-channel TrenchMOS logic level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK9237-55A,BUK923755A NXP 20000 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS logic level FET The part BUK9237-55A is manufactured by NXP Semiconductors. It is a P-channel TrenchMOS logic level FET with the following key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS)**: -55 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: -6.5 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 48 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (RDS(on))**: 0.15 Ω (max) at VGS = -10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: -1.5 V (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications requiring high efficiency and low on-state resistance in power management circuits.

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel TrenchMOS logic level FET# Technical Documentation: BUK923755A Power MOSFET

 Manufacturer : NXP Semiconductors  
 Component Type : N-channel TrenchMOS logic level FET  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases

The BUK923755A is a 55V, 75A N-channel TrenchMOS logic level FET optimized for high-efficiency switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters :  
- Synchronous buck converters for point-of-load (POL) applications
- Boost converters in battery-powered systems
- Isolated converters using synchronous rectification

 Motor Control Systems :  
- Brushless DC (BLDC) motor drivers in automotive applications
- Stepper motor drivers for precision positioning systems
- H-bridge configurations for bidirectional motor control

 Power Management :  
- Load switches in distributed power architectures
- Hot-swap controllers with current limiting
- OR-ing controllers for redundant power supplies

 Lighting Systems :  
- LED driver circuits for automotive lighting
- PWM dimming controllers for high-power LED arrays

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics :  
- Engine control units (ECUs) for fuel injection systems
- Electric power steering (EPS) motor drivers
- Battery management systems (BMS) for electric vehicles
- 48V mild-hybrid systems requiring efficient power switching

 Industrial Automation :  
- Programmable logic controller (PLC) output modules
- Industrial motor drives for conveyor systems
- Robotic arm power distribution systems

 Telecommunications :  
- Base station power amplifiers
- Telecom rectifiers and power distribution units
- Network switch power supplies

 Consumer Electronics :  
- High-end gaming console power systems
- High-performance computing power delivery
- Large-format display backlight drivers

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low RDS(on) : 3.5 mΩ typical at VGS = 10V enables high efficiency in power conversion
-  Logic Level Compatible : Fully enhanced at VGS = 4.5V, compatible with 3.3V and 5V microcontroller outputs
-  Fast Switching : Typical switching times of 15 ns (turn-on) and 25 ns (turn-off) minimize switching losses
-  AEC-Q101 Qualified : Suitable for automotive applications with extended temperature range (-55°C to +175°C)
-  Low Gate Charge : Qg of 65 nC typical reduces gate drive requirements

 Limitations :
-  Voltage Rating : 55V maximum limits use in higher voltage applications
-  Thermal Considerations : Requires careful thermal management at full load current
-  Parasitic Capacitance : Ciss of 4500 pF typical requires robust gate drive design
-  Avalanche Energy : Limited single-pulse avalanche capability (EAS = 200 mJ)

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
-  Problem : Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs with peak current capability >2A
-  Implementation : TI UCC27524 or Infineon 2EDN7524F with proper bypass capacitors

 Pitfall 2: Thermal Runaway 
-  Problem : RDS(on) positive temperature coefficient leading to thermal instability
-  Solution : Implement proper heatsinking and temperature monitoring
-  Implementation : Use thermal vias, copper pours, and consider paralleling devices for current sharing

 Pitfall 3: Voltage Spikes During Switching 
-  Problem : Inductive kickback exceeding VDS rating

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