TrenchMOS(tm) standard level FET The **BUK7735-55A** from Philips is a high-performance power MOSFET designed for efficient switching applications in industrial and automotive systems. This N-channel enhancement mode transistor features a low on-state resistance (RDS(on)), ensuring minimal power loss and improved thermal performance under high-current conditions.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 55V and a continuous drain current (ID) capability of up to 75A, the BUK7735-55A is well-suited for demanding power management tasks, including motor control, DC-DC converters, and load switching. Its robust construction and advanced silicon technology enhance reliability in harsh operating environments.  

The device incorporates a fast switching speed, reducing transition losses and improving overall system efficiency. Additionally, its low gate charge (Qg) allows for simplified drive circuit design while maintaining precise control. The BUK7735-55A is housed in a TO-220 package, offering excellent thermal dissipation and mechanical durability.  

Engineers favor this MOSFET for its balance of performance, ruggedness, and cost-effectiveness, making it a preferred choice for high-power electronic designs. Its specifications align with industry standards, ensuring compatibility with a wide range of applications where efficiency and durability are critical.

TrenchMOS(tm) standard level FET The part **BUK7735-55A** is manufactured by **Nexperia**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 19 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Package:** TO-220AB (leaded)  

For detailed datasheets or further technical information, refer to **Nexperia's official documentation**.