**Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** NXP Semiconductors  
- **Type:** N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40 A  
- **R_DS(on) (max):** 7.6 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Package:** TO-220AB  

For detailed datasheet information, refer to NXP's official documentation.