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BUK7626-100B from PHILIPS

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BUK7626-100B

Manufacturer: PHILIPS

N-channel TrenchMOS standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK7626-100B,BUK7626100B PHILIPS 800 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS standard level FET **Introduction to the BUK7626-100B Electronic Component**  

The BUK7626-100B is a high-performance power MOSFET developed by Philips, designed for efficient switching applications in power management systems. This N-channel enhancement-mode device is built using advanced semiconductor technology, offering low on-state resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of up to 75A, the BUK7626-100B is well-suited for demanding applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. Its robust construction ensures reliable operation under high-stress conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive electronics.  

Key features include fast switching speeds, low gate charge, and excellent thermal performance, which contribute to reduced power losses and improved system efficiency. The component is housed in a TO-220AB package, providing mechanical durability and ease of mounting on heat sinks for effective thermal dissipation.  

Engineers value the BUK7626-100B for its balance of performance, reliability, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for modern power electronics designs. Its specifications align with industry standards, ensuring compatibility with a wide range of circuit configurations.

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel TrenchMOS standard level FET# Technical Documentation: BUK7626100B Power MOSFET

 Manufacturer : PHILIPS  
 Component Type : N-Channel Power MOSFET  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023  

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## 1. Application Scenarios (45% of Content)

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK7626100B is a high-performance N-channel enhancement mode MOSFET designed for power switching applications requiring low on-state resistance and high current handling capabilities.

 Primary Applications: 
-  DC-DC Converters : Used in buck, boost, and buck-boost configurations for voltage regulation
-  Motor Control : Ideal for H-bridge configurations in brushed DC motor drives
-  Power Management : Load switching in battery-powered devices and power distribution systems
-  Lighting Systems : LED driver circuits and ballast control
-  UPS Systems : Uninterruptible power supply switching elements

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics: 
- Electric power steering systems
- Battery management systems (BMS)
- Automotive lighting controls
- Window lift and seat adjustment motors

 Industrial Automation: 
- PLC output modules
- Industrial motor drives
- Robotic actuator controls
- Power supply units for industrial equipment

 Consumer Electronics: 
- Laptop power management
- Gaming console power systems
- High-end audio amplifiers
- Large display backlight control

 Renewable Energy: 
- Solar charge controllers
- Wind turbine power conditioning
- Energy storage system interfaces

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(on) : Typically 10mΩ at VGS = 10V, reducing conduction losses
-  High Current Rating : Continuous drain current up to 62A
-  Fast Switching : Typical rise time of 15ns and fall time of 20ns
-  Avalanche Energy Rated : Robust against voltage spikes and inductive switching
-  Low Gate Charge : Approximately 45nC, enabling efficient high-frequency switching
-  Thermal Performance : Low thermal resistance junction-to-case (0.5°C/W)

 Limitations: 
-  Gate Sensitivity : Requires proper gate drive circuitry to prevent oscillations
-  Voltage Rating : 100V maximum limits use in high-voltage applications
-  Package Constraints : TO-220 package requires adequate heatsinking for high-power applications
-  ESD Sensitivity : Requires standard ESD precautions during handling and assembly
-  Parasitic Capacitance : Significant Ciss, Coss, and Crss values affect high-frequency performance

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## 2. Design Considerations (35% of Content)

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
-  Problem : Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive switching losses
-  Solution : Implement dedicated gate driver IC with peak current capability >2A
-  Implementation : Use bootstrap circuits for high-side switching or isolated gate drivers

 Pitfall 2: Thermal Management Issues 
-  Problem : Junction temperature exceeding maximum rating during continuous operation
-  Solution : Calculate thermal resistance network and provide adequate heatsinking
-  Implementation : Use thermal interface materials, forced air cooling for high-power applications

 Pitfall 3: Voltage Spikes During Switching 
-  Problem : Inductive kickback causing voltage spikes exceeding VDS(max)
-  Solution : Implement snubber circuits and proper freewheeling diodes
-  Implementation : RC snubber across drain-source or TVS diodes for protection

 Pitfall 4: Parasitic Oscillations 
-  Problem : High-frequency oscillations due to PCB layout parasitics
-  Solution : Minimize loop areas and use gate resistors
-  Implementation : Place gate resistor close to MOSFET gate pin (typically

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