The BUK7575-100A is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Philips (now Nexperia) for demanding switching applications. With a robust 100V drain-source voltage rating and a low on-resistance (RDS(on)), this component ensures efficient power handling while minimizing conduction losses.  

Engineered for reliability, the BUK7575-100A features a fast switching speed, making it suitable for high-frequency circuits such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies. Its advanced trench technology enhances thermal performance, ensuring stable operation under high current loads.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Its gate charge is optimized for reduced drive requirements, improving energy efficiency in control circuits.  

Key specifications include a continuous drain current (ID) of up to 75A and a low threshold voltage, enabling compatibility with standard logic-level drivers. The device also incorporates built-in protection against overvoltage and electrostatic discharge (ESD), enhancing system longevity.  

Ideal for industrial and automotive applications, the BUK7575-100A combines high power density with rugged construction, making it a dependable choice for engineers seeking performance and durability in power management solutions.

- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 9.5 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Package**: TO-220AB  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

These details are based on NXP's official documentation for the BUK7575-100A.