N-channel TrenchMOS standard level FET The **BUK7528-100A** from Philips is a high-performance power MOSFET designed for demanding switching applications. This N-channel enhancement-mode transistor is built using advanced TrenchMOS technology, offering low on-state resistance and high efficiency, making it well-suited for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 75A, the BUK7528-100A delivers robust performance in high-power circuits. Its low gate charge and fast switching characteristics minimize power losses, enhancing thermal management and system reliability. The device also features an integrated body diode, providing improved reverse recovery performance in inductive load applications.  

Encased in a TO-220AB package, the BUK7528-100A ensures efficient heat dissipation and mechanical durability. Its design complies with industry standards, making it a dependable choice for motor control, DC-DC converters, and power supply units. Engineers value its balance of performance, thermal stability, and cost-effectiveness, reinforcing its role in modern electronic designs.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper integration within circuit designs.