N-channel TrenchMOS standard level FET The part **BUK7222-55A** is a power MOSFET manufactured by **NXP Semiconductors**. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 55 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 22 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 88 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 55 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 45 W  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220 (single-ended)  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications, such as power management in automotive and industrial systems.  

(Source: NXP datasheet for BUK7222-55A)