The BUK7107-55AIE is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Philips (now Nexperia) to deliver efficient power management in demanding applications. This component is engineered for low on-state resistance (RDS(on)) and high switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 55V and a continuous drain current (ID) of up to 42A, the BUK7107-55AIE ensures reliable operation under high-power conditions. Its advanced trench technology minimizes conduction losses, improving overall energy efficiency. The MOSFET also features a low gate charge, enabling fast switching transitions while reducing power dissipation.  

Housed in a TO-220 package, the BUK7107-55AIE offers robust thermal performance and ease of mounting, making it a practical choice for industrial and automotive applications. Its rugged design ensures durability in harsh environments, meeting stringent reliability standards.  

Engineers and designers favor this MOSFET for its balance of performance, efficiency, and thermal stability. Whether used in switching regulators or load drivers, the BUK7107-55AIE provides a dependable solution for modern power electronics.