PowerMOS transistor Logic level FET The BUK553-100A is a power transistor manufactured by PHI (Powerhouse Electronics Inc.).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 100V  
- **Collector Current (I_C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15-60 (at I_C = 4A)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  

**Applications:**  
- Power amplification  
- Switching circuits  
- Motor control  

This information is based on PHI's official datasheet for the BUK553-100A.

PowerMOS transistor Logic level FET The part **BUK553-100A** is a power MOSFET manufactured by **PHILIPS**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on the datasheet for the **BUK553-100A** by PHILIPS.