TOPFET high side switch SMD version of BUK202-50Y The part BUK20650Y is a power MOSFET manufactured by NXP Semiconductors. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 55W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.025Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet from NXP.