PowerMOS transistor Logic level TOPFET The BUK127-50DL is a power MOSFET manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 50 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 45 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.085 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 9 nC  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This information is based on NXP's datasheet for the BUK127-50DL.

PowerMOS transistor Logic level TOPFET The BUK127-50DL is a power MOSFET manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 13nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for applications such as power management, motor control, and switching circuits.