TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) The BTS130 is a power transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 100 V  
- **Collector Current (I_C)**: 30 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 150 W  
- **Gain Bandwidth Product (f_T)**: 20 MHz  
- **Package**: TO-220  
- **Application**: Designed for use in power amplifiers, switching regulators, and motor control circuits.  

These are the factual specifications as provided in Ic-phoenix technical data files. No additional guidance or interpretation is included.

TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) The BTS130 is a power transistor manufactured by Siemens (SIE). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.03Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-220  

These are the confirmed technical specifications for the BTS130 as provided by Siemens (SIE). No additional recommendations or interpretations are included.