Thyristors logic level The **BT258S-800R** from Philips is a high-performance electronic component designed for robust switching applications. As part of the BT258 series, this triac is engineered to handle significant current loads, making it suitable for AC power control in industrial and consumer electronics.  

With an **800V blocking voltage**, the BT258S-800R ensures reliable operation in demanding environments, providing protection against voltage surges. Its **high current capability** (up to 25A RMS) allows it to manage heavy loads efficiently, while maintaining low conduction losses. The component features **insulated isolation**, enhancing safety and simplifying thermal management in circuit designs.  

The BT258S-800R is optimized for **phase control and switching applications**, including motor speed regulation, lighting control, and heating systems. Its **sensitive gate triggering** ensures precise control, reducing power dissipation and improving system efficiency.  

Built with Philips' expertise in semiconductor technology, this triac offers **high noise immunity** and **thermal stability**, ensuring long-term reliability. Its compact TO-220AB package facilitates easy integration into various circuit layouts.  

For engineers seeking a durable and efficient triac for AC power management, the BT258S-800R represents a dependable solution, balancing performance with robust protection features.

Thyristors logic level The BT258S-800R is a Schottky barrier diode manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Manufacturer**: NXP  
- **Type**: Schottky barrier diode  
- **Maximum repetitive reverse voltage (Vrrm)**: 80 V  
- **Average forward current (Ifav)**: 2 A  
- **Peak forward surge current (Ifsm)**: 50 A (non-repetitive)  
- **Forward voltage drop (Vf)**: 0.55 V (typical at If = 2 A)  
- **Reverse leakage current (Ir)**: 0.5 mA (maximum at Vr = 80 V)  
- **Operating junction temperature (Tj)**: -65°C to +150°C  
- **Package**: SOD-123FL  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.