NPN Darlington transistors The BSP50 is a power transistor manufactured by Philips Semiconductors (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN Darlington Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 80V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 50A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot)**: 300W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 25A  
- **Package**: TO-3P (SOT93)  

These specifications are based on the original datasheet from Philips/NXP.

NPN Darlington transistors The BSP50 is a pressure sensor manufactured by SIEMENS. Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** SIEMENS  
- **Model:** BSP50  
- **Type:** Pressure sensor  
- **Measurement Range:** Typically used for industrial pressure measurement (exact range may vary by variant).  
- **Output Signal:** Analog (e.g., 4–20 mA or 0–10 V) or digital (depending on model).  
- **Accuracy:** High precision, specific tolerance depends on variant.  
- **Operating Temperature Range:** Designed for industrial environments (exact range varies).  
- **Pressure Connection:** Threaded or flange connection (specific type depends on application).  
- **Electrical Connection:** Terminal block or cable connection.  
- **Housing Material:** Typically ruggedized for industrial use (e.g., stainless steel or plastic).  
- **Certifications:** May include CE, ATEX (for hazardous areas), or other industry standards.  

For exact specifications, refer to the official SIEMENS datasheet for the BSP50 model in question.

NPN Darlington transistors The BSP50 is a silicon NPN transistor manufactured by PHILIPS.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Material:** Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 0.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 0.625W  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40–250 (depending on operating conditions)  
- **Package:** TO-92  

This transistor is commonly used in switching and amplification applications.

NPN Darlington transistors The BSP50 is a PNP power transistor manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Darlington transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -100 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -100 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -5 A (DC)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 50 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = -4 A  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -40°C to +150°C  
- **Package**: TO-220 (isolated and non-isolated versions available)  

It is designed for use in power switching and amplification applications.