N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP130 is a power MOSFET manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V  
3. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.3A  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 5A  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 20W  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 0.5A  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-2V  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typical)  
10. **Package**: TO-220 (through-hole)  

These are the factual specifications for the BSP130 MOSFET as provided by PHILIPS/NXP.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP130 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30 V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -14 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 2.5 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.15 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Package**: SOT223  

This information is based on NXP's datasheet for the BSP130.