N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP122 is a silicon N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 0.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1–2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 25pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 8pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 3pF  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT89 (TO-243)  

These specifications are based on standard testing conditions. For detailed performance curves and application notes, refer to the official PHILIPS datasheet.