Dual N-Channel SIPMOS Small-Signal Tr... The BSO307N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-channel MOSFET  
2. **Package**: TO-263 (D2PAK)  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: 100A  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400A  
6. **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
8. **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
9. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.5V (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSO307N MOSFET.

Dual N-Channel SIPMOS Small-Signal Tr... The BSO307N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-channel MOSFET  
2. **Package**: TO-263 (D2PAK)  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 125W  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
8. **On-Resistance (R_DS(on))**: 7.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
9. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
10. **Total Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typ)  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

For exact details, refer to the official Infineon datasheet.