P-channel vertical D-MOS logic level FET The BSH205 is a power MOSFET manufactured by NXP (formerly Philips Semiconductors). Below are the key specifications from the NXP/Philips datasheet:

1. **Type**: N-channel enhancement-mode trench MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 20V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.3A (at T_C = 25°C)  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 17A  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.1W (at T_amb = 25°C)  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
7. **On-State Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max at V_GS = 4.5V, I_D = 3.1A)  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.8V to 2.5V  
9. **Package**: SOT223 (4-pin)  
10. **Applications**: Power management, DC-DC converters, load switching  

This information is sourced directly from the NXP/Philips datasheet for the BSH205 MOSFET.