P-channel vertical D-MOS logic level FET The BSH201 is a manufacturer part from PHILIPS. However, specific details about its specifications, such as dimensions, electrical characteristics, or application notes, are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate technical specifications, it is recommended to refer to the official PHILIPS datasheet or product documentation.

P-channel vertical D-MOS logic level FET The BSH201 is a silicon NPN RF transistor manufactured by NXP Semiconductors. Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT143B (4-pin)  
- **Frequency Range**: Up to 1.5 GHz  
- **Power Gain (Gp)**: 13 dB (typical at 900 MHz)  
- **Collector Current (Ic)**: 30 mA (max)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 12 V  
- **Noise Figure**: 1.3 dB (typical at 900 MHz)  
- **Applications**: RF amplification in mobile communications, VHF/UHF applications  

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.

P-channel vertical D-MOS logic level FET The BSH201 is a silicon NPN Darlington transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type:** NPN Darlington transistor  
- **Package:** SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30 V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500 mA  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min) at I_C = 10 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250 mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 50 MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in switching and amplification applications where high gain is required.  

(Source: NXP/Philips datasheet for BSH201)