- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 2.5 W  
- **R_DS(on) (Max)**: 70 mΩ at V_GS = -4.5 V  
- **R_DS(on) (Max)**: 100 mΩ at V_GS = -2.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4 V to -1.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 8 nC  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300 pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 80 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30 pF  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-223  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSD223P.