OptiMOS2 Power-Transistor The BSC094N03S G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 94 A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 380 A
- **Power Dissipation (PD)**: 125 W
- **RDS(on) (max)**: 3.7 mΩ (at VGS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.35 V (typical)
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C
- **Avalanche Energy (EAS)**: 150 mJ
- **Total Gate Charge (Qg)**: 44 nC (typical at VDS = 15 V, VGS = 10 V)

This MOSFET is optimized for high efficiency in power management applications.