- **Type**: Silicon PIN Photodiode
- **Package**: T-1 3/4 (5 mm)
- **Wavelength Range**: 400 nm to 1100 nm
- **Peak Sensitivity Wavelength**: 850 nm
- **Radiant Sensitive Area**: 7.5 mm²
- **Dark Current (Typical)**: 2 nA (at VR = 10 V)
- **Dark Current (Maximum)**: 10 nA (at VR = 10 V)
- **Capacitance (Typical)**: 40 pF (at VR = 10 V, f = 1 MHz)
- **Reverse Voltage (Maximum)**: 60 V
- **Operating Temperature Range**: -40 °C to +100 °C
- **Storage Temperature Range**: -40 °C to +100 °C
- **Spectral Bandwidth**: 400 nm to 1100 nm
- **Termination**: Radial leaded
- **Material**: Silicon

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BPW24R photodiode.