Silicon NPN Phototransistor The BPW17N is a silicon NPN phototransistor manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Package Type**: TO-18 metal can package  
- **Spectral Range**: 400 nm to 1100 nm  
- **Peak Sensitivity Wavelength**: 880 nm  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V  
- **Emitter-Collector Voltage (V_ECO)**: 5 V  
- **Collector Current (I_C)**: 50 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 100 mW  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +100°C  
- **Dark Current (I_D)**: ≤ 100 nA (at V_CE = 10 V)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: ≤ 0.4 V (at I_C = 2 mA, I_F = 1 mA)  
- **Rise Time (t_r)**: 15 µs  
- **Fall Time (t_f)**: 15 µs  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BPW17N phototransistor.