Silicon NPN Phototransistor The BPW16N is a silicon NPN phototransistor manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Package Type**: T-1 3/4 (5 mm)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30 V
- **Collector Current (IC)**: 20 mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 100 mW
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C
- **Peak Wavelength (λp)**: 880 nm
- **Spectral Range**: 400 nm to 1100 nm
- **Dark Current (ID)**: 100 nA (max at VCE = 10 V)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 0.4 V (max at IC = 2 mA)
- **Rise Time (tr)**: 15 μs (typical)
- **Fall Time (tf)**: 15 μs (typical)

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BPW16N phototransistor.