Power LDMOS transistor The **BLF7G22LS-130** from **NXP Semiconductors** is a high-performance **LDMOS RF power transistor** designed for demanding applications in the **industrial, scientific, and medical (ISM)** frequency bands. Optimized for **1300–1400 MHz** operation, this component delivers exceptional power output and efficiency, making it ideal for **RF amplification in high-power systems**.  

Engineered with **NXP’s advanced LDMOS technology**, the BLF7G22LS-130 offers robust thermal stability and high gain, ensuring reliable performance in continuous-wave (CW) and pulsed applications. With a typical output power of **22 W** and high drain efficiency, it is well-suited for **RF energy, plasma generation, and microwave heating** systems.  

Key features include **low thermal resistance**, excellent linearity, and ruggedness against load mismatches, enhancing system durability. The transistor is housed in a **flanged ceramic package**, providing superior heat dissipation and mechanical strength.  

Designed for ease of integration, the BLF7G22LS-130 supports **broadband matching**, reducing the need for complex tuning circuits. Its high-power density and efficiency make it a preferred choice for engineers seeking reliable RF solutions in industrial and scientific applications.  

For detailed specifications, consult the official datasheet to ensure proper implementation in your design.