UHF power MOS transistor The BLF542 is a high-power RF LDMOS transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Key specifications include:

- **Frequency Range**: 960–1215 MHz  
- **Output Power**: 500 W (pulsed)  
- **Gain**: 13 dB (typical)  
- **Drain Efficiency**: 65% (typical)  
- **Voltage**: 50 V (typical operating)  
- **Package**: SOT539A (flanged ceramic metal-cased)  

It is designed for applications such as radar and aerospace systems.  

(Source: NXP Semiconductors datasheet for BLF542)

UHF power MOS transistor The BLF542 is a high-power RF transistor manufactured by PHL (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel LDMOS RF power transistor
- **Frequency Range**: 860 MHz to 960 MHz
- **Output Power**: 100 W (P1dB)
- **Gain**: 14 dB (typical)
- **Voltage (VDS)**: 28 V
- **Efficiency**: 50% (typical)
- **Package**: SOT502A (flanged metal-ceramic)
- **Application**: RF power amplifiers in base stations and other high-power RF systems.

For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet.