HF/VHF power MOS transistor The BLF175 is a high-power RF transistor manufactured by PH (formerly Philips Semiconductors, now NXP Semiconductors). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF power transistor.  
2. **Frequency Range**: Designed for operation in the VHF and UHF bands (typically 30 MHz to 512 MHz).  
3. **Output Power**: Capable of delivering up to **150 W** (PEP) in push-pull configurations.  
4. **Voltage Rating**: Operates at **28 V** (typical drain voltage).  
5. **Gain**: Provides **13 dB** typical power gain at 175 MHz.  
6. **Efficiency**: Typical drain efficiency of **65%** under optimal conditions.  
7. **Package**: Comes in a **SOT467A (HSOP56)** package for thermal and RF performance.  
8. **Applications**: Used in broadcast transmitters, RF amplifiers, and industrial heating systems.  

For exact datasheet details, refer to NXP's official documentation.