200 MHz, 22 dB gain reverse amplifier The part BGY67 is manufactured by PHI (Power Hybrids Incorporated). Below are the specifications for the BGY67:  

- **Type:** RF Power Transistor  
- **Material:** Silicon  
- **Frequency Range:** 960-1215 MHz  
- **Output Power:** 10W (P1dB)  
- **Gain:** 9 dB (typical)  
- **Voltage (Vcc):** 28V  
- **Efficiency:** 40% (typical)  
- **Package:** Flange-mounted, ceramic-metal seal  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

These are the confirmed specifications for the BGY67 as provided by PHI.