120 MHz, 25 dB gain reverse amplifier The part BGY66B is a power transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon RF Power Transistor
- **Application**: Designed for VHF band applications, particularly in RF power amplifiers.
- **Frequency Range**: Suitable for operation up to 175 MHz.
- **Power Output**: Capable of delivering up to 60W output power (typical).
- **Voltage Ratings**:  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CEO): 36V  
  - Collector-Base Voltage (V_CBO): 65V  
- **Current Ratings**:  
  - Collector Current (I_C): 12A (max)  
- **Gain**: Power gain typically around 10 dB at 175 MHz.
- **Package**: TO-220 or similar power package for heat dissipation.

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official PHILIPS datasheet.