750 MHz, 20.3 dB gain power doubler amplifier The BGD714 is a high-voltage N-channel power MOSFET manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 700V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 3Ω (typical at V_GS = 10V, I_D = 2A)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.