Silicon MMICs Here are the factual specifications for the **BGB540** manufactured by **Infineon** based on the available knowledge:  

- **Type**: RF Transistor (NPN Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor - SiGe HBT)  
- **Application**: High-frequency amplification (e.g., RF, microwave circuits)  
- **Frequency Range**: Up to **8 GHz**  
- **Gain (S21)**: **13 dB** (typical at 2 GHz)  
- **Noise Figure**: **0.8 dB** (typical at 2 GHz)  
- **Collector Current (Ic)**: **20 mA** (typical operating condition)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vce)**: **3 V**  
- **Power Dissipation (Pd)**: **200 mW**  
- **Package**: **SOT-343 (SC-70)**  

For detailed electrical characteristics, refer to the official **Infineon datasheet**.