PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 2mA up to 20mA) The part BFT93 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP silicon planar epitaxial transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -500mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25-250  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on the PHILIPS datasheet for the BFT93 transistor.

PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 2mA up to 20mA) The part **BFT93** is manufactured by **NXP/Philips**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: PNP Silicon RF Transistor  
- **Application**: RF amplification in VHF/UHF bands  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -12V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -3V  
- **Collector Current (IC)**: -30mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (hFE)**: 20-60  
- **Package**: SOT23 (Surface Mount)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official NXP/Philips documentation.