RF-Bipolar The BFS483 is a high-frequency N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel RF MOSFET
- **Package**: SOT-343 (SC-70)
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 12 V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8 V
- **Drain Current (I_D)**: 30 mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 150 mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 7 GHz
- **Noise Figure (NF)**: 0.5 dB (typical at 900 MHz)
- **Gain (G_a)**: 14 dB (typical at 900 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This FET is designed for low-noise amplification in high-frequency applications such as mobile communication and RF circuits.