NPN 5 GHz wideband transistor The BFS25A is a component manufactured by PHILIPS. However, specific technical specifications or details about this part are not provided in the available knowledge base. For accurate specifications, it is recommended to refer to the official PHILIPS datasheet or product documentation.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFS25A is a transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Application**: Designed for VHF/UHF amplifier and oscillator applications  
- **Frequency Range**: Suitable for operation up to 1 GHz  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 20 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3 V  
- **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300 mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 1.5 GHz  
- **Noise Figure**: Typically 1.5 dB at 500 MHz  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official NXP/Philips documentation.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFS25A is a transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Application**: Designed for RF amplification in VHF/UHF applications  
- **Frequency Range**: Up to 500 MHz  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 25 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3 V  
- **Collector Current (IC)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300 mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5 GHz (typical)  
- **Noise Figure**: 2 dB (typical at 100 MHz)  
- **Package**: SOT23 (3-pin)  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BFS25A transistor.