1. **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
2. **Package**: SOT-323 (SC-70)  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 25 V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12 V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3 V  
6. **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 300 mW  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 5 GHz  
9. **Noise Figure (NF)**: 1.2 dB (typical at 1 GHz)  
10. **Gain (h_FE)**: 40–120 (at I_C = 5 mA, V_CE = 5 V)  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is designed for low-noise RF amplifier applications, particularly in VHF and UHF ranges.