NPN 2 GHz wideband transistor The BFR53 is a high-frequency NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT-343 (SC-70)  
- **Frequency Range**: Up to 8 GHz  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3 V  
- **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 150 mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 8 GHz  
- **Noise Figure**: 1.2 dB (typical at 2 GHz)  
- **Gain (|S₂₁|²)**: 13 dB (typical at 2 GHz)  

These specifications make the BFR53 suitable for RF amplification in applications such as mobile communications, satellite receivers, and other high-frequency circuits.  

For exact details, always refer to the official datasheet from Infineon.

NPN 2 GHz wideband transistor The BFR53 is a high-frequency NPN transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Collector Current (I_C)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 5GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1.8GHz)  
- **Gain (h_FE)**: 40–120 (at 2V, 5mA)  
- **Applications**: RF amplification in wireless communication, VCOs, and other high-frequency circuits.  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets.

NPN 2 GHz wideband transistor The BFR53 is a high-frequency NPN transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Transistor
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 12V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 40–120 (at IC = 10mA, VCE = 5V)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BFR53 transistor.

NPN 2 GHz wideband transistor The BFR53 is a transistor manufactured by Philips. Below are its specifications based on factual data from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Application**: Designed for RF amplification in VHF/UHF applications  
- **Frequency Range**: Suitable for operation up to 500 MHz  
- **Collector Current (Ic)**: 100 mA (max)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 12 V (max)  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300 mW (max)  
- **Gain (hFE)**: Typically 30-100 (depending on operating conditions)  
- **Package**: TO-92 (plastic encapsulation)  

These specifications are based on Philips' datasheet for the BFR53 transistor.

NPN 2 GHz wideband transistor The BFR53 is a silicon RF transistor manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN RF Transistor  
2. **Frequency Range**: Up to 2.5 GHz  
3. **Power Output**: 1.5 W (typical at 900 MHz)  
4. **Gain**: 13 dB (typical at 900 MHz)  
5. **Voltage (V_CE)**: 12 V  
6. **Current (I_C)**: 100 mA  
7. **Package**: SOT-89  
8. **Applications**: RF amplification in wireless communication systems  

These are the factual specifications provided by ON Semiconductor for the BFR53 transistor.