RF-Bipolar The BFR360F is a semiconductor device manufactured by SIEMENS. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Application**: Designed for RF amplification in the VHF and UHF frequency ranges.  
- **Frequency Range**: Typically operates up to several hundred MHz.  
- **Power Output**: Capable of delivering moderate RF power output.  
- **Package**: Comes in a standard transistor package (exact package type not specified in the available data).  
- **Manufacturer**: SIEMENS (now part of Infineon Technologies AG).  

For exact electrical characteristics (voltage, current, gain, etc.), refer to the official datasheet from SIEMENS/Infineon.

RF-Bipolar The BFR360F is a high-frequency NPN silicon RF transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor
- **Package**: SOT-343 (4-pin)
- **Frequency Range**: Up to 12 GHz
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 30 mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 150 mW
- **Gain (h_FE)**: 50 (typical)
- **Noise Figure**: 1.2 dB (typical at 2 GHz)
- **Applications**: RF amplifiers, oscillators, and other high-frequency circuits.  

For detailed performance curves and additional parameters, refer to the official Infineon datasheet.